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本文采用类Huybrechts变分法讨论了声学极化子在平板晶体,这种实际存在的准二维结构中自陷的可能性.并得到结论：声学极化子在Ⅲ -Ⅴ族化合物和大多数卤碱化物的平板结构中自陷的可能性很小;但空穴极化子在某些Ⅲ -Ⅴ族化合物,如GaN和AlN的平板结构中能够自陷.
论平板晶体中声学极化子自陷转变的可能性
【摘 要】
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本文采用类Huybrechts变分法讨论了声学极化子在平板晶体,这种实际存在的准二维结构中自陷的可能性.并得到结论：声学极化子在Ⅲ -Ⅴ族化合物和大多数卤碱化物的平板结构中自陷
【机 构】
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山西师范大学物理与信息工程学院
【出 处】
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山西师范大学学报：自然科学版
【发表日期】
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2010年1期
【基金项目】
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山西师范大学自然科学基金（项目编号YZ08019）
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