GaP缺陷增殖机理的研究

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将掺杂为Te、晶面(111)的n型GaP单晶样品,机械抛光后,在通有饱和C1_2气的甲醇溶液中,室温下化学抛光40分钟,然后用去离子水冲洗后,在H_2SO_4∶H_2O_2∶H_2O=3∶1∶1的腐蚀液中,70℃下腐蚀10—15分钟,即有位错腐坑显出,并有再现性。以这种样品材料为衬底的掺N、Zn液相外延生长层,仍用上述腐蚀液,在同样温度 The n-type GaP single crystal samples doped with Te, crystal plane (111) were mechanically polished and then chemically polished at room temperature for 40 minutes in a methanol solution saturated with saturated C1_2 gas. After rinsed with deionized water, H 2 SO 4: H 2 O 2: H 2 O = 3: 1: 1 etching solution, the corrosion at 70 ℃ for 10-15 minutes, that is, there are dislocation decay pit showed, and reproducibility. With this sample material as the substrate doped N, Zn liquid phase epitaxial growth layer, still use the above etching solution, at the same temperature
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