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集成铁电体把铁电材料与集成半导体技术联合起来，以发展出一批新的电子器件。铁电薄膜在其中发挥着非挥发性记忆、热释电、压电、光折变、抗辐射、声学的和／或介电的功能性质。在不同的器件应用中，铁电薄膜的材料体系是不相同的。在非挥发性存贮器（ＮＶＲＡＭ）中，ＰＺＴ薄膜面临着ＳｒＢｉ２Ｔａ２Ｏ９（ＳＢＴ）系列铁电体的强力挑战；Ｂａ１－ｘＳｒｘＴｉＯ３（ＢＳＴ）则可能出现在下一代高密度动态随机存贮器（ＤＲＡＭ）