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本文采用一种新的数字图像相关方法测量带有半导体电热膜的远红外陶瓷热胀系数。该方法将有限元的位移模式引入，更适合于微细观领域的高精度测量，可以得到热胀系数随温度变化的曲线。结果表明，陶瓷基体和电热膜均表现出各向异性的热膨胀。在基体和膜热胀系数数值较接近的方向，降温时膜收缩而基体继续膨胀；在基体和膜的热胀系数变化规律一致的方向上，数值上膜的热胀系数要比基体的热胀系数大得多。若已知陶瓷基体和电热膜的应力应变本构关系，就可以根据测试结果计算陶瓷基体与电热膜之间的热应力及残余应力。