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采用氧过量YOYO激活工艺对经高温清洁的砷化镓（GaAs）晶片进行激活,测量其量子效率和在激光及背景光照射下的使用寿命,得到了4.66%的量子效率;在电子枪中的实验获得了平均流强大于1mA的束流。分析了真空度、高温清洁温度、铯氧激活工艺等因素对GaAs光阴极初始量子效率和使用寿命的影响。
GaAs阴极光电发射特性
【摘 要】
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采用氧过量YOYO激活工艺对经高温清洁的砷化镓（GaAs）晶片进行激活,测量其量子效率和在激光及背景光照射下的使用寿命,得到了4.66%的量子效率;在电子枪中的实验获得了平均流强大
【机 构】
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中国工程物理研究院应用电子学研究所
【出 处】
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强激光与粒子束
【发表日期】
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2013年B05期
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