金属基Pt/ITO薄膜热电偶的制备

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【摘要】

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采用多层膜结构制备了金属基Pt/ITO薄膜热电偶,薄膜热电偶由Ni基合金基片、NiCrAlY过渡层、热生长Al2O3层、Al2O3绝缘层、Pt/ITO功能层和Al2O3保护层构成。静态标定结果表明：

【作者】

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赵文雅蒋洪川陈寅之张万里刘兴钊彭少龙唐磊

【机构】

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电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,中国燃气涡轮研究院测控室

【出处】

：

测控技术

【发表日期】

：

2013年4期

【关键词】

：

PT ITO薄膜热电偶静态标定热电势塞贝克系数 Pt/ITO thin-film thermocouples static calibration t

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采用多层膜结构制备了金属基Pt/ITO薄膜热电偶,薄膜热电偶由Ni基合金基片、NiCrAlY过渡层、热生长Al2O3层、Al2O3绝缘层、Pt/ITO功能层和Al2O3保护层构成。静态标定结果表明：样品的平均塞贝克系数为107.45μV/℃。测试温度可达到1000℃。时效处理可以有效提高薄膜热电偶的输出热电势。

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