PLZT在硅基板上的介电行为研究

来源 :山西师范大学学报：自然科学版 | 被引量 : 0次 | 上传用户：taishao

【摘要】

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本文将Pb0.93La0.07Zr0.40Ti0.60O3薄膜镀到硅基底上,制得薄膜在硅基底铜电极上的电容器模型.高频段下（达120 MHz）测试了PLZT介电温度效益,100 MHz、室温下的介电常数是1 360,

【作者】

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未治奎张超焦永恒王英余大书

【机构】

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天津师范大学物理与电子信息学院

【出处】

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山西师范大学学报：自然科学版

【发表日期】

：

2010年2期

【关键词】

：

PLZT铁电薄膜弛豫型电容器 Cole-Cole曲线 PLZT ferroelectric thin film relaxtion capacitor

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本文将Pb0.93La0.07Zr0.40Ti0.60O3薄膜镀到硅基底上,制得薄膜在硅基底铜电极上的电容器模型.高频段下（达120 MHz）测试了PLZT介电温度效益,100 MHz、室温下的介电常数是1 360,损耗为0.08,居里温度下介电常数是3 780,损耗为0.91.其在居里点附近弥散区域非常宽,通过计算得到弛豫时间的数量级为10-9s.

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