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介绍了离子注入工艺可在SiC器件中形成欧姆接触,其电阻值经退火后可达到10-6Ω.cm2;同时也可利用离子注入在平面工艺中形成良好的电学隔离,避免工艺复杂化,提高了成品率。最后通过B+注入形成边缘终端制作4H-SiC肖特基势垒二极管的例子说明了离子注入在SiC器件制造过程中所起的重要作用。
离子注入工艺在4H-SiC器件中的应用
【摘 要】
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介绍了离子注入工艺可在SiC器件中形成欧姆接触,其电阻值经退火后可达到10-6Ω.cm2;同时也可利用离子注入在平面工艺中形成良好的电学隔离,避免工艺复杂化,提高了成品率。最
【机 构】
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南京电子器件研究所五中心,南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室
【出 处】
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半导体技术
【发表日期】
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2008年S1期
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