【摘 要】
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本文研究了纯铜的气体表面渗硅新工艺，也即在含硅气氛下低温沉积和扩散表面改性的工艺研究情况，介绍了各实验参数对渗硅层厚度和性能的影响
In this paper, we studied the ne
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本文研究了纯铜的气体表面渗硅新工艺，也即在含硅气氛下低温沉积和扩散表面改性的工艺研究情况，介绍了各实验参数对渗硅层厚度和性能的影响
In this paper, we studied the new technology of pure copper surface gas infiltration, that is, the process of low temperature deposition and diffusion surface modification in the silicon-containing atmosphere, and the influence of each experimental parameter on the thickness and the performance of the infiltrated silicon layer
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