【摘 要】
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本文利用AES、XPS研究了硅上厚7A～47A的超薄氧化硅膜的化学键态。讨论了无定形SiO_2和Si衬底之间的界面区的化学结构。
In this paper, the chemical bonding state of ultra
【机 构】
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南京工学院电子工程系,南京工学院电子工程系,南京工学院电子工程系,
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本文利用AES、XPS研究了硅上厚7A～47A的超薄氧化硅膜的化学键态。讨论了无定形SiO_2和Si衬底之间的界面区的化学结构。
In this paper, the chemical bonding state of ultra-thin silicon oxide films 7A-47A on silicon was studied by AES and XPS. The chemical structure of the interface region between the amorphous SiO 2 and the Si substrate is discussed.
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