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研制了一种高电容率的电容式RF—MEMS开关．与普通电容式开关设计不同的是，在CPW信号线上的绝缘层上表面覆盖了一层金属板，使开关在down—state时，上电极能与介质膜紧密接触，而在up-state时，金属板分别与上电极及信号线平面构成一组串联电容，大大降低了Cup值，从而提高了开关的电容率．与相同条件制得的普通电容式开关相比，其电容率要高出一个数量级，达到1000以上．由测试可知，所设计的串联电容式开关其隔离度在8GHz时可达42dB，明显优于普通电容式开关．