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集成电路的快速发展得益于其电路基本单元——场效应管MOSFET电学性能的不断提升。MOSFET器件的关键性能指标是驱动电流Id,驱动电流的大小取决于栅极电容。栅极电容与栅极表面积成正比,与栅介质厚度成反比。因此,通过增加栅极表面积和降低栅介质厚度均可提高栅极电容。随着半导体技术的不断发展，集成电路的集成度也不断提高。