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用因子分析法在扫描俄歇微探针（SAM）上研究了SiO2／Si的俄歇深度剖面分析。采用Ar＋离子刻蚀SiO2／Si样品，分别采录具有高表面灵敏度和化学态灵敏度的低能SiLVV俄歇跃迁和OKLL俄歇跃迁。用因子分析法可得到一致的结果：SiO2／Si界面上存在中间过渡化学态SiOx（0＜x＜2），以及SiO2经Ar＋离子刻蚀后产生少量（约10％）的SiOx及相当一部分（约30％～50％）的SiO2的另一状态SiO2*。
The Auger depth profile analysis of SiO2 / Si was investigated by scanning electron microscopy (SAM) using factor analysis. SiO2 / Si samples were etched with Ar + ions, and the low-energy SiLVV Auger transitions and OKLL Auger transitions with high surface sensitivity and chemical sensitivity were recorded. A consistent result is obtained by factorial analysis: SiOx (0
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2011版《义务教育生物学课程标准》指出:“生物学重要概念处于学科中心位置,包括了对生命基本现象、规律、理论等的理解和解释,对学生学习生物学及其他学科具有重要的支撑作