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阐述了电共沉积方法制备发射光波长近于1.3～1.5μm的InGaAs薄膜材料。用能谱分析仪进行薄膜成分分析，用分光光度计和单色仪测量薄膜的透射率，同时测量了薄膜I-V特性、导电类型、厚度及其表面形貌，分析结果表明该方法是半导体薄膜材料制备的一种新途径。
电共沉积InGaAs薄膜材料
【摘 要】
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阐述了电共沉积方法制备发射光波长近于1.3～1.5μm的InGaAs薄膜材料。用能谱分析仪进行薄膜成分分析，用分光光度计和单色仪测量薄膜的透射率，同时测量了薄膜I-V特性、导电类型、
【机 构】
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哈尔滨工业大学
【出 处】
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太阳能学报
【发表日期】
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2001年2期
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