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给出了常温和低温Ｓｉ／ＳｉＧｅ／ＳｉＨＢＴ的设计原则，并进行了讨论。指出了低温和室温ＨＢＴ设计上的差异。这些原则可用于设计特定要求的Ｓｉ／ＳｉＧｅ／ＳｉＨＢＴ。
Si／SiGe／Si HBT的优化设计
【摘 要】
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给出了常温和低温Ｓｉ／ＳｉＧｅ／ＳｉＨＢＴ的设计原则，并进行了讨论。指出了低温和室温ＨＢＴ设计上的差异。这些原则可用于设计特定要求的Ｓｉ／ＳｉＧｅ／ＳｉＨＢＴ。
【机 构】
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北京工业大学电子工程系,西安交通大学微电子研究所
【出 处】
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半导体技术
【发表日期】
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1998年4期
【基金项目】
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国家教委博士点基金,北京市科技新星计划基金
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