InGaAs/InP半导体激光器自锁模特性的研究

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Spence[1]在掺钛蓝宝石激光中实现了自锁模,它的诞生,使超短脉冲激光进入了新阶段.近年来,Cr4+:YAG,Cr:LiSrLF6等固体材料也实现了激光的自锁模运转。无论是以InGaAs/InP量子阱材料[2,3]或InGaAs/InP体材料为激活介质,在外腔工作条件下, Spence [1] achieved a self-locking mode in titanium-doped sapphire laser, and its birth brought the ultra-short pulse laser to a new stage. In recent years, solid materials such as Cr4 +: YAG and Cr: LiSrLF6 have also realized self-locking Die run. Whether in the InGaAs / InP quantum well material [2,3] or InGaAs / InP bulk material as the activation medium, working conditions in the outer cavity,
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