【摘 要】
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本文阐述了利用半导体片的霍尔效应制成的μm级位移传感器,达到了日本同类传感器的技术水平。把它与加热炉和拉杆式石英夹持机构等组装成热膨胀系数测量装置,对低膨胀合金Fe
【机 构】
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本文阐述了利用半导体片的霍尔效应制成的μm级位移传感器,达到了日本同类传感器的技术水平。把它与加热炉和拉杆式石英夹持机构等组装成热膨胀系数测量装置,对低膨胀合金Fe—Ni~(82)C~4Nb等试样进行测量,结果表明该位移传感器适合于中低热膨胀系数的测量。若再改进,有希望用于超低热膨胀系数的精密测量。
This paper describes the use of semiconductor film Hall effect made of μm-level displacement sensor, to achieve the same level of technology in Japan sensor. It was assembled with a heating furnace and rod-type quartz clamping mechanism into a thermal expansion coefficient measuring device, and the samples of low expansion alloy Fe-Ni ~ (82) C ~ 4Nb were measured. The results show that the displacement sensor is suitable for medium and low thermal expansion Measurement of coefficients. If further improvement, there is hope for precision measurement of ultra-low thermal expansion coefficient.
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