【摘 要】
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通过傅里叶红外光谱、正电子湮没寿命谱和Hall技术研究了高剂量快中子辐照直拉硅的辐照缺陷、电阻率、载流子迁移率、载流子浓度随退火温度的变化.经快中子辐照,直拉硅样品的
【机 构】
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河北工业大学材料学院,天津工业大学信息与通信学院,中国原子能科学研究院,中国科学院高能物理研究所
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通过傅里叶红外光谱、正电子湮没寿命谱和Hall技术研究了高剂量快中子辐照直拉硅的辐照缺陷、电阻率、载流子迁移率、载流子浓度随退火温度的变化.经快中子辐照,直拉硅样品的导电类型由n型转变为p型.在450和6000℃热处理出现两种受主中心,分别由V2O2,V2O,VO2,V-O-V及V4型缺陷引起,这些缺陷态的出现使得样品中空穴浓度迅速增加;大于650℃热处理这些受主态缺陷迅速消失,样品的载流子迁移率及载流子类型开始恢复,并出现一种与辐照相关的施主态缺陷,导致样品的电子浓度增加,电阻率迅速下降.这种施主态缺陷的浓度在750℃热处理达到最大,并在随后大于900℃,1 h热处理很快被消除.
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