【摘 要】
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阵列式高压交/直流发光二极管(LED)在芯片制作过程中通过多个LED微晶粒的串并联来实现交流高压供电,属于高电压小电流的工作状态,与传统LED相比在电流扩展、封装及驱动电路设
【机 构】
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中国科学院半导体研究所半导体照明研发中心; 鹤壁市大华实业有限公司;
【基金项目】
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国家重点研发计划(批准号:2017YFB0403300,2017YFB0403302);北京市科委计划(批准号:Z161100002116032);广州市科技计划(批准号:201704030106,2016201604030035)
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阵列式高压交/直流发光二极管(LED)在芯片制作过程中通过多个LED微晶粒的串并联来实现交流高压供电,属于高电压小电流的工作状态,与传统LED相比在电流扩展、封装及驱动电路设计等诸多方面有更大的优势。本文主要研究了阵列式高压交直流LED器件制备过程中的芯片隔离工艺,并对感应耦合等离子体(ICP)深刻蚀隔离以及激光划槽两种芯片隔离方法进行了对比。通过扫描电子显微镜(SEM)表征刻蚀形貌以及最终器件的伏安特性和光输出功率表明ICP深刻蚀隔离具有更高的灵活性且可以形成陡直的隔离侧壁,且可以实现较深的刻蚀深度,更有助于制备光电性能优良的阵列式高压交/直流LED器件。
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