【摘 要】
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氮化硅薄膜是一种重要的薄膜材料，具有优良的光电特性和物理性能，将在微电子、光电及薄膜晶体管等领域中有广泛的应用。本文采用等离子体增强化学气相沉积法（PECVD）在1．8mx1．5m的基
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氮化硅薄膜是一种重要的薄膜材料，具有优良的光电特性和物理性能，将在微电子、光电及薄膜晶体管等领域中有广泛的应用。本文采用等离子体增强化学气相沉积法（PECVD）在1．8mx1．5m的基板上制备薄膜晶体管液晶显示器用的氮化硅薄膜。本文研究通过调整腔室电极间距（Spacing）来优化氮化硅薄膜的均匀性（Uniformity），以及优化后的氮化硅薄膜对产品的影响。
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