In0.53Ga0.47As雪崩光电二极管单光子探测器的温度特性研究

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In0.53Ga0.47As雪崩光电二极管单光子探测器(SPAD)的响应覆盖短波950~1 700 nm,具有体积小、灵敏度高等特点,在量子通信、激光测距、激光雷达等应用有广泛前景。工作温度是影响In0.53Ga0.47As SPAD性能的重要因素,温度越高暗计数率越大,导致器件的噪声也越大。研究器件温度特性是实现暗计数抑制的重要途径。建立了数学模型来提取器件光电性能参数,通过分析吸收层、倍增层中载流子对温度的影响,获得最优器件结构参数。最后,制作了光敏面直径达到70μm的In0.53Ga0.47As SPAD芯片,并进行了封装测试。结果显示,70μm In0.53Ga0.47As SPAD在室温下的探测效率为14.2%,暗计数率为88.6 kHz,噪声等效功率为3.82×10-16 W·Hz-1/2,仿真结果与测试结果的拟合曲线一致。
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