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介绍了几种常用ESD保护器件的特点和工作原理,通过分析各种ESD放电情况,对如何选择ESD保护器件,以及如何设计静电泄放通路进行了深入研究,提出了全芯片ESD保护电路设计方案,并在XFAB 0.6μm CMOS工艺上设计了测试芯片。测试结果表明,芯片的ESD失效电压达到5 kV。
基于CMOS工艺的全芯片ESD保护电路设计
【摘 要】
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介绍了几种常用ESD保护器件的特点和工作原理,通过分析各种ESD放电情况,对如何选择ESD保护器件,以及如何设计静电泄放通路进行了深入研究,提出了全芯片ESD保护电路设计方案,
【机 构】
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重庆科技学院数理系; 中国电子科技集团公司第二十四研究所;
【出 处】
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微电子学
【发表日期】
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2010年03期
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