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锰铋稀土（ＭnBiRE)薄膜具有较大的磁光克尔转角θk，因而作为良好的磁光住处存储材料，用真空蒸镀方法制备了ＭnBiRE（ＲＥ＝Ｃe、Pr、Nd、Sm）薄膜，考察了温度变化对其矫顽力、磁光克尔转角等性能的影响。通过信息的写入，分析了这些样品的读写特性并与四层结构ＴbFeCo样品做了比较。
温度变化对锰铋稀土薄膜的矫顽力和磁光克尔转角的影响
【摘 要】
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锰铋稀土（ＭnBiRE)薄膜具有较大的磁光克尔转角θk，因而作为良好的磁光住处存储材料，用真空蒸镀方法制备了ＭnBiRE（ＲＥ＝Ｃe、Pr、Nd、Sm）薄膜，考察了温度变化对其矫顽力、磁光克尔转角等性能
【机 构】
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北京轻工业学院基础部,北京冠维公司
【出 处】
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北京轻工业学院学报
【发表日期】
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1999年4期
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