高平整度和低损伤碳化硅晶片的纳米磨削技术

来源 :中国有色金属学报（英文版） | 被引量 : 0次 | 上传用户：zqnihao920

【摘要】

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采用细粒度砂轮的纳米磨削来实现碳化硅晶片高平整度和低损伤加工新方法.磨削试验表明采用纳米磨削50.8 mm碳化硅晶片时其平整度在1.0 μmn以内,表面粗糙度可达0.42 nm.纳米

【作者】

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霍凤伟郭东明康仁科冯光

【机构】

：

大连理工大学

【出处】

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中国有色金属学报（英文版）

【发表日期】

：

2004年期

【关键词】

：

碳化硅晶片纳米磨削杯形砂轮平整度表面粗糙度损伤 SiC wafer nanogrinding cup wheel flatness surface r

【基金项目】

：

supported by the National Natural Science Foundation of China;

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采用细粒度砂轮的纳米磨削来实现碳化硅晶片高平整度和低损伤加工新方法.磨削试验表明采用纳米磨削50.8 mm碳化硅晶片时其平整度在1.0 μmn以内,表面粗糙度可达0.42 nm.纳米磨削比双面研磨和机械抛光更能高效地对碳化硅晶片做更高平整度、更低损伤加工,可以取代双面研磨和机械抛光,并减小化学机械抛光去除量.研究结果对高效低成本制备高质量碳化硅晶片有参考价值.

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