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微波场效应管（MESFET）构成的低噪声放大器电路常用于射频前端，是常见的射频模拟电路。该电路在强电磁脉冲作用下易烧毁，从而导致设备失效。使用半导体器件-电路联合仿真器对强电磁脉冲作用下的微波场效应管烧毁过程进行仿真，对失效机理开展研究，为进行强电磁脉冲防护提供依据。研究结果表明：强电磁脉冲达到一定的阙值会导致MESFET烧毁，该阙值与强电磁脉冲的上升时间有关，根据仿真结果可进行强电磁脉冲的屏蔽防护。