论文部分内容阅读
采用MEVVA源离子注入机将Si，Er先后掺杂到不同厚度的热氧化硅薄膜中，利用卢瑟福背散射(RBS)能谱分析了掺杂层中Er原子的深度分布，Er的掺杂浓度为1021cm-3量级；原子力显微镜(AFM)形貌观测中发现有纳米晶Si镶嵌在注入层中；X射线光电子能谱(XPS)的结果显示了不同厚度掺杂层中Er,Si,O含量的变化.77K温度下，在退火态样品的近红外光致发光(PL)谱中观察到了Er3+的1.54μm特征发射.Er3+作为孤立离子发光中心，其激活能主要来源于nc-Si/SiO2(c-Si/SiO2)界面处的载流子复合，再将能量转移给Er3+而产生发光.