【摘 要】
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以垂直沉积法(vertical deposition method)从SiO2的乙醇胶体溶液中制备了胶体晶体薄膜,并将其在不同温度下进行了焙烧.通过扫描电子显微镜和紫外-可见光分光光度计对生成态
【机 构】
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东南大学分子与生物分子电子学教育部重点实验室,东南大学分子与生物分子电子学教育部重点实验室,东南大学分子与生物分子电子学教育部重点实验室 南京 210096 大连水产学院基础部,大连 116023,南
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以垂直沉积法(vertical deposition method)从SiO2的乙醇胶体溶液中制备了胶体晶体薄膜,并将其在不同温度下进行了焙烧.通过扫描电子显微镜和紫外-可见光分光光度计对生成态和在400℃,800℃焙烧后的SiO2胶体晶体薄膜进行了表征.结果表明,样品在较大范围内保持单晶密排有序结构,而且无断裂现象发生.经400℃和800℃焙烧3h后衍射峰发生很小的蓝移,而衍射峰的幅值和半峰宽度却发生了显著变化.
A colloidal crystal thin film was prepared from ethanol colloidal solution of SiO2 by vertical deposition method and calcined at different temperatures.The morphology of colloidal crystals was characterized by scanning electron microscopy and UV-visible spectrophotometer. ℃ and 800 ℃ .The results show that the sample keeps the single crystal close-packed ordered structure in a wide range without any fracture.After 3h calcination at 400 ℃ and 800 ℃, the diffraction peak A small blue shift occurs, and the diffraction peak amplitude and half-peak width have undergone significant changes.
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