SiGe：C技术有望改进无线电产品的设计

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【摘要】

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Motorola公司(位于阿里桑那州的Phoenix)的半导体事业部,最近完成了对其0.35 μ m RF BiCMOS工艺,包括硅锗:碳(SiGe:C)技术,以及一些集成化的RF无源元件模块的鉴定.设计人员

【作者】

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Christina Nickolas 袁丁

【出处】

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今日电子

【发表日期】

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2001年7期

【关键词】

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锗化硅:碳技术半导体工艺 BICMOS工艺

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Motorola公司(位于阿里桑那州的Phoenix)的半导体事业部,最近完成了对其0.35 μ m RF BiCMOS工艺,包括硅锗:碳(SiGe:C)技术,以及一些集成化的RF无源元件模块的鉴定.设计人员采用这种工艺技术,可以设计出更具创意,并且功能更加丰富的无线电话手机,手机的电池使用寿命也会更长,当今的蜂窝通信产品的成本也可以进一步降低.

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