【摘 要】
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低压5 V/高压40 V制程广泛应用于LCD栅驱动芯片,LED驱动芯片,智能电表芯片及电源管理等产品的生产。N型埋层（NBL）加上P型外延层（P-EPI）做隔离的工艺制程已经稳定量产多年,而以深N
【基金项目】
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上海市软件和集成电路产业发展专项基金（2015.150223）
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低压5 V/高压40 V制程广泛应用于LCD栅驱动芯片,LED驱动芯片,智能电表芯片及电源管理等产品的生产。N型埋层（NBL）加上P型外延层（P-EPI）做隔离的工艺制程已经稳定量产多年,而以深N阱代替NBL＋P-EPI的工艺,不需要昂贵的EPI,同时可减少零层光刻（Zero layer）,生产成本大幅降低。DNW工艺可以沿用EPI工艺的Layout设计规则,保持了EPI工艺器件的电特性,特别是高压器件的击穿电压（BV）足够满足各种对栅和漏端均需耐40V高压产品的应用需求。
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