用三氯乙烯氧化剥层吸除硅外延层微缺陷

来源 :西北电讯工程学院学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:yingzi9252
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本文提出用三氯乙烯氧化剥层的方法,对硅外延层微缺陷进行吸除处理,并同其它吸除方法作了实验比较及分析讨论,表明这是吸除效果、可靠性和实用性都较好的方法。 In this paper, trichlorethylene oxidation delamination method is used to remove silicon epitaxial layer microdefects, and compared with other methods of absorption as well as analysis and discussion, indicating that this is the suction effect, reliability and practicality are Better way.
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