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为了保证掺铒光纤在辐照环境下的工作性能与寿命,采用改进的化学气相沉积(MCVD)方法制备了C波段抗辐照掺铒光纤。在常温下使用 60Co辐射源对自研掺铒光纤进行累积剂量为1500 Gy、平均剂量率为0.2 Gy/s的辐照,结果发现,该光纤在980 nm和1550 nm处的辐致损耗(RIA)分别为1.4 dB/m和0.8 dB/m。搭建了掺铒光纤放大器(EDFA)进行增益测试,测试过程中采用输入功率为-20 dBm的1550 nm信号与波长为980 nm的泵浦源。测试结果表明,在100 mW和500 mW泵浦功率下,1550 nm处的辐致增益变化(RIGV)分别为0.8 dB和0.2 dB。