【摘 要】
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InGaAsN/GaAs量子阱中进行铍(Be)元素重掺杂能显著提高其光学性质,并且发光波长发生了红移。X射线衍射摇摆曲线清楚地证实了铍掺杂抑制了InGaAsN(Be)/GaAs量子阱在退火过程中
【机 构】
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苏州大学光电信息科学与工程学院苏州纳米科技协同创新中心,苏州大学江苏省先进光学技术重点实验室教育部现代光学技术重点实验室,中国科学院物理研究所北京凝聚态物理国家实验室,
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InGaAsN/GaAs量子阱中进行铍(Be)元素重掺杂能显著提高其光学性质,并且发光波长发生了红移。X射线衍射摇摆曲线清楚地证实了铍掺杂抑制了InGaAsN(Be)/GaAs量子阱在退火过程中的应力释放。对比退火前,退火后的没有进行铍掺杂的量子阱样品的量子阱的X射线摇摆曲线衍射峰明显向GaAs衬底峰偏移;而对于掺铍的量子阱样品而言,这样的偏移要小很多。
InGaAsN / GaAs quantum well heavily beryllium (Be) element doping can significantly improve its optical properties, and emission wavelength redshift. X-ray diffraction rocking curves clearly demonstrate that beryllium doping suppresses the stress relaxation of the InGaAsN (Be) / GaAs quantum well during annealing. Before contrast annealing, the X-ray rocking curve diffraction peaks of the annealed quantum wells without beryllium-doped quantum wells shifted significantly toward the GaAs substrate peaks, whereas for the beryllium doped quantum well samples, such shifts To be much smaller.
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