【摘 要】
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用射频磁控溅射和直流磁控溅射的方法分别在Si（100）衬底和Cu膜间制备了30nm的NbN薄膜,Cu/NbN/Si样品在高纯氮气保护下退火至700℃。用四探针电阻测试仪（FPP）、AFM、SEM、XRD、AES
【机 构】
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黑龙江科技学院现代分析测试研究中心,哈尔滨工程大学材料科学与化学工程学院,黑龙江大学化学化工与材料学院
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用射频磁控溅射和直流磁控溅射的方法分别在Si（100）衬底和Cu膜间制备了30nm的NbN薄膜,Cu/NbN/Si样品在高纯氮气保护下退火至700℃。用四探针电阻测试仪（FPP）、AFM、SEM、XRD、AES研究了溅射方式对NbN薄膜扩散阻挡性能的影响。退火前XRD结果表明,直流溅射制备的NbN薄膜为典型的晶态结构,射频溅射制备的薄膜为典型的非晶态结构。高温退火后的XRD、SEM、FPP、AES研究结果表明非晶态结构的NbN薄膜有更好的扩散阻挡性能,700℃时仍能很好地阻挡Cu原子的扩散。
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