【摘 要】
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通过减少晶体管数目来达到减小存储单元面积,从而实现高密度的SRAM设计是一种较为直接的解决方案。在至关重要的SRAM存储单元设计中,不同工作状态表现出的稳定特性是评判SRAM
【机 构】
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中国科学院大学微电子学院,中国科学院微电子研究所,中芯国际集成电路制造有限公司
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通过减少晶体管数目来达到减小存储单元面积,从而实现高密度的SRAM设计是一种较为直接的解决方案。在至关重要的SRAM存储单元设计中,不同工作状态表现出的稳定特性是评判SRAM设计的重要指标。比较了55nmCMOS工艺节点下传统6T和4TSRAM存储单元的数据保持和读写工作时的稳定特性。经过多次蒙特卡洛仿真,仿真结果表明,4T结构SRAM与传统6T结构相比,存储单元面积减小20%,在相同供电电压下,通过在外围电路中增加读辅助电路,读稳定性提升了110%,写能力增强183%。
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