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采用光伏方法测量了1MeV高能电子辐照(辐照剂量为10^13~10^16cm^-2)前后硅单晶少子扩散长度的变化;结合红外光吸收谱的测量结果,分析了高能电子辐照对硅单晶性能的影响。实验结果表明:高阻硅比低阻硅具有更强的抗辐射能力,大剂量的电子辐照可以改变n型硅的导电类型。文中还计算了电子辐照在硅中所产生的陷浓度等一些重要参数。