国际整流器推出MOSFET新封装功率密度更上一层楼

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最近国际整流器(IR)公司推出用于功率MOSFET的新型封装,称作ElipFET,其中场效应晶体管的栅极、源极和漏极都布置在硅片的同一侧,用焊料做成的球形引脚直接装在硅片上,硅片面积和封装面积之比为100%,从而把MOSFET的功率密度推上新的高度。IR元件部市务总 Recently, International Rectifier (IR) introduced a new package for power MOSFET called ElipFET, in which the gate, source and drain of the field effect transistor are all arranged on the same side of the silicon. Ball-shaped pins made of solder Directly mounted on silicon, silicon area and package area ratio of 100%, so that the power density of the MOSFET to a new height. IR Components Division of the total market
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