利用电子束光刻制备晶面依赖的硅纳米结构

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：xmuppdragon

【摘要】

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利用电子束光刻和各向异性湿法腐蚀技术,在（100）SOI衬底上成功地制备出晶面依赖的硅纳米结构.这项技术利用了硅的不同晶面在碱性腐蚀溶液中具有不同腐蚀速率的特性.纳米结构脊

【作者】

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杨香韩伟华王颖张杨杨富华

【机构】

：

中国科学院半导体研究所半导体集成技术工程研究中心

【出处】

：

半导体学报

【发表日期】

：

2008年6期

【关键词】

：

硅纳米结构各向异性湿法腐蚀电子束光刻 silicon nanostructure anisotropic wet etching electron-be

【基金项目】

：

国家自然科学基金（批准号：60506017,60776059）和国家高技术研究发展计划（批准号：2007AA032303）资助项目.Acknowledgements The authors would like to thank Mrs. Bai Yunxia, Mr. Tang Jianjun and Mr. Li Ning for their help in the fabrication p

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利用电子束光刻和各向异性湿法腐蚀技术,在（100）SOI衬底上成功地制备出晶面依赖的硅纳米结构.这项技术利用了硅的不同晶面在碱性腐蚀溶液中具有不同腐蚀速率的特性.纳米结构脊部宽度的最小尺寸可以达到10nm以下.扫描电镜和原子力显微镜的观察表明,利用这种方法制备出来的纳米结构具有很好的重复性,而且表面光滑.

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