【摘 要】
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本文介绍了一种用SOI硅片和硅?硅键合MEMS技术制作的高温接触式电容压力传感器,并给出了详细的工艺制作流程。在对测试装置、测试电路进行了详细地介绍和深入分析后,用此测试
【机 构】
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厦门大学机电工程系,厦门大学微机电中心
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本文介绍了一种用SOI硅片和硅?硅键合MEMS技术制作的高温接触式电容压力传感器,并给出了详细的工艺制作流程。在对测试装置、测试电路进行了详细地介绍和深入分析后,用此测试电路对制作的传感器器件进行了高温测试。测试结果表明,传感器在小于250kPa的室温条件下工作,传感器的灵敏度为0.54 mV/kPa;而在400℃条件下工作,传感器的灵敏度为0.41 mV/kPa,传感器的零点飘移为0.1mV/℃。可见这种微传感器可在低于450℃的条件下正常工作,且具有很大的线性工作范围、良好的稳定性和较高的灵敏度。
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