【摘 要】
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采用磁控溅射法在 n型〈111〉晶向的 Si衬底上形成了 Zr- Si- N薄膜及 Cu/ Zr- Si- N/ Si金属化系统 .将 Cu/ Zr-Si- N/ Si金属化系统样品分别在真空及 H2 / N2 (体积比为 1
【机 构】
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西安交通大学电子与信息工程学院,西安交通大学金属材料强度国家重点实验室
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采用磁控溅射法在 n型〈111〉晶向的 Si衬底上形成了 Zr- Si- N薄膜及 Cu/ Zr- Si- N/ Si金属化系统 .将 Cu/ Zr-Si- N/ Si金属化系统样品分别在真空及 H2 / N2 (体积比为 1∶ 9)气氛中 80 0℃退火 1h.对 Zr- Si- N薄膜和退火后的金属化系统样品进行 X射线衍射、X射线光电子能谱、扫描电镜、薄层电阻率及俄歇电子能谱测试与分析 .结果表明 ,Zr- Si- N阻挡层是以 Zr N晶体与非晶相 Si3N4 或其他 Si- N化合物的复合结构形式存在 .经过两种气氛退火后的样品均没有发生阻挡层失效 ,但与真空退火相比 ,H2 / N2 退火气氛由于不存在残余 O2 的作用而表现出较低的 Cu膜薄层电阻率及较好的 Cu/ Zr- Si- N/ Si界面状态 .
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