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本文借助于泊松（Poisson）方程,分析了平面平行真空微电子二极管（P-VMD）中空间电荷对管内电位分布的影响,利用电子渡越时间的定义式,推导出了平面P-VMD在考虑空间电荷和忽略电荷空间电荷影响时的电子渡越时间的计算关系式,并验证了此关系式的正确性.最后举例说明了此关系式的应用.
平面平行真空微电子二极管中电子渡越时间的计算关系式
【摘 要】
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本文借助于泊松（Poisson）方程,分析了平面平行真空微电子二极管（P-VMD）中空间电荷对管内电位分布的影响,利用电子渡越时间的定义式,推导出了平面P-VMD在考虑空间电荷和忽略电荷空
【机 构】
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无锡中策电子有限公司,中国科学院电子学研究所,北京有色金属研究总院稀土材料国家工程研究中心有研稀土新材料股份有限公司
【出 处】
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真空电子技术
【发表日期】
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2014年1期
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