基于半导体光放大器的一阶ⅡR微波光子学滤波器及其品质因素分析

来源 :物理学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:wang_hua1983
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对基于半导体光放大器(SOA)环形腔结构的一阶无限冲击响应(ⅡR)微波光子学滤波器的品质因数(Q值)进行了实验和理论研究.通过在有源环内置入窄带光滤波器,并调节有源环的输入光功率、SOA抽运电流、实验得到的最高Q值接近200.理论分析表明为了得到较高的Q值,应尽可能提高信噪比和信号光的环路增益.在考虑了SOA中放大的自发辐射(ASE)噪声的基础上,计算了输入光功率、SOA抽运电流、环内光滤波器的带宽对Q值的影响.数值计算的结果与实验现象基本符合. Experimental and theoretical studies on the quality factor (Q) of a first order infinite impulse response (IIR) microwave photonic filter based on the ring structure of a semiconductor optical amplifier (SOA) have been carried out. By placing a narrowband optical filter , And adjust the input optical power of the active ring and SOA pumping current, the highest Q value obtained by experiments is close to 200. Theoretical analysis shows that in order to get a higher Q value, the loop gain of signal-to-noise ratio and signal light should be improved as much as possible Based on the amplified spontaneous emission (ASE) noise in SOA, the effects of input optical power, SOA pumping current and the bandwidth of the ring optical filter on the Q value are calculated.The numerical results and experimental phenomena are basically meets the.
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