【摘 要】
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本文报道了用X射线光电子能谱的角度效应研究硅-二氧化硅界面过渡区的结果。样品为（111）取向的硅单晶片上低温（700℃）氧化生成的超薄氧化膜,膜的厚度不大于50。氧化膜与单晶衬底
【机 构】
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复旦大学现代物理研究所; 上海石油化工总厂研究院; 上海石油化工总厂研究院;
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本文报道了用X射线光电子能谱的角度效应研究硅-二氧化硅界面过渡区的结果。样品为（111）取向的硅单晶片上低温（700℃）氧化生成的超薄氧化膜,膜的厚度不大于50。氧化膜与单晶衬底中Si2p光电子谱峰之间的化学位移（δ）和强度比(I0x/Isi)随光电子发射角（θ）的变化明显地偏离理想界面所预期的结果,表明在硅-二氧化硅的界面处存在化学比为SiOx（0<x<2）的过渡区,过渡区中的硅原子处于各种中间价态,构成Si-SiyO4-y（0≤y≤4）型四面体。比较实验曲线与随机成键模型的计算结果,估计出过渡区的宽度不大于20,小于Si2p光电子在二氧化硅中的平均逃逸深度。对改变氧化时间结合Ar+刻蚀制得的氧化膜厚度不同的样品所作的测量,得到与角度实验相一致的结果。
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