【摘 要】
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为满足集成电路中高电源抑制比/低温度系数的要求,设计了一款没有运放的精简的带隙电压电路。相比传统有运放结构,电路芯片面积更小且具有更低的电流损耗。并在0.5μm CMOS工
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为满足集成电路中高电源抑制比/低温度系数的要求,设计了一款没有运放的精简的带隙电压电路。相比传统有运放结构,电路芯片面积更小且具有更低的电流损耗。并在0.5μm CMOS工艺下进行了仿真,仿真结果表明,在-40℃~＋100℃温度范围内电路的温度系数为17×10-6,电源抑制比PSRR在100 k Hz以下达到-50 d B,在1 k Hz以下能达到-80 d B,而整个电路在3.3 V电压下电流损耗仅为24μA。
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