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基于实验测试数据,综合分析了栅源、栅漏串联电阻增大后电流崩塌Ⅰ-Ⅴ曲线变化差异。研究表明:在脉冲测试条件下,RS增大,栅下沟道开启程度减弱,漏电流如变小;RD增大,栅下沟道漏端等效漏电压减小,膝电压VKNEE变大。该实验结果可望通过RD与RS表征研究导致GaN HEMT电流崩塌的表面态变化。