GaN HEMT功率放大器的开发

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据《Semiconductor FPD World》(日)2004年第2期报道,日本富士通研究所开发了用于第3代移动通信基站的GaN基HEMT功率放大器。该功率放大器在63V下的输出功率为174W。通过晶体结构的最佳化设计,在施加 According to “Semiconductor FPD World” (Japan) No. 2 of 2004, Fujitsu Research Institute of Japan has developed a GaN-based HEMT power amplifier for the 3rd generation mobile communication base station. The power amplifier at 63V output power of 174W. Through the crystal structure of the optimal design, the application
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