【摘 要】
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七十年代以来,Ⅲ—Ⅴ族半导体激光器实现室温连续工作后有了迅速的发展。半导体激光器有体积小、效率高、电注入及容易进行高频调制的优点,在光纤通信和光电子领域得到了广
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七十年代以来,Ⅲ—Ⅴ族半导体激光器实现室温连续工作后有了迅速的发展。半导体激光器有体积小、效率高、电注入及容易进行高频调制的优点,在光纤通信和光电子领域得到了广泛的应用。以GaAs为衬底的半导体激光器,不但在近红外0.9μm波段有长寿命稳定的工作性能,而且已扩展到可见
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