【摘 要】
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设计了基于Si3N4掩模的太阳电池选择性掺杂工艺, 并对其工艺参数进行了仿真优化。选择性掺杂电池的一次掺杂条件为仿真所得最佳非选择性掺杂电池的工艺参数。运用SILVACO软件分别对选择性掺杂的时间、预淀积浓度和温度进行了仿真研究。仿真结果表明, 随着选择性掺杂的预淀积浓度的增加, 光谱响应率先增加后降低; 随着扩散温度和扩散时间的增加, 电池的光谱响应率逐渐减小。所得最佳选择性掺杂工艺参数为预淀积磷硅玻璃杂质浓度1×1019cm-3、扩散温度800℃、扩散时间5min。
【机 构】
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苏州大学物理科学与技术学院,江苏苏州215006南通大学电子信息学院,江苏南通226019南通大学机械工程学院,江苏南通226019江苏综艺光伏有限公司,江苏南通226376
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设计了基于Si3N4掩模的太阳电池选择性掺杂工艺, 并对其工艺参数进行了仿真优化。选择性掺杂电池的一次掺杂条件为仿真所得最佳非选择性掺杂电池的工艺参数。运用SILVACO软件分别对选择性掺杂的时间、预淀积浓度和温度进行了仿真研究。仿真结果表明, 随着选择性掺杂的预淀积浓度的增加, 光谱响应率先增加后降低; 随着扩散温度和扩散时间的增加, 电池的光谱响应率逐渐减小。所得最佳选择性掺杂工艺参数为预淀积磷硅玻璃杂质浓度1×1019cm-3、扩散温度800℃、扩散时间5min。
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