用于0.8~0.9微米波段光通信的最佳N~+—P—π—P~+硅雪崩光电二极管

来源 :半导体光电 | 被引量 : 0次 | 上传用户:muscleprince
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——在分析了雪崩噪声,响应速度和量子效率的基础上,设计了高—低(Hi—Lo)杂质分布的硅雪崩光电二极管。采用双外延片,制作了用于0.8~0.9微米波段范围的最佳结构。精确测得其过剩噪声因子F约为5.6dB(M=100)、峰值量子效率大于90%。 - Based on the analysis of avalanche noise, response speed and quantum efficiency, a silicon avalanche photodiode with high-low impurity distribution has been designed. Using double epitaxial wafers, the best structures for the 0.8 to 0.9 micron band range were fabricated. Accurate measurement of its excess noise factor F is about 5.6dB (M = 100), the peak quantum efficiency greater than 90%.
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