三维封装TSV结构热失效性分析

来源 :电子与封装 | 被引量 : 0次 | 上传用户：lzxkong

【摘要】

：

随着集成电路向低功耗、小体积、高集成度方向发展,二维平面集成逐渐面临挑战。硅通孔(Through Silicon Via,TSV)能够实现芯片上下垂直互连,减小引线布线长度,是三维集成技术中的关键步骤。通过有限元仿真软件(Comsol Multiphysic)对TSV-Cu模型进行了热力学仿真,对比了不同电流密度下TSV-Cu的应力-应变与热膨出结果。通过热循环试验观察TSV-Cu界面形貌的变化,发现由于热失配的原因,氧化硅绝缘层与中心铜柱界面处存在不可逆的缝隙。根据有限元仿真与热循环试验,可以得到不同的

【作者】

：

宋培帅何昱蓉魏江涛杨亮亮韩国威王晓东杨富华

【机构】

：

中国科学院半导体研究所,中国科学院大学材料与光电研究中心,北京量子信息科学研究院

【出处】

：

电子与封装

【发表日期】

：

2021年9期

【关键词】

：

硅通孔有限元仿真热循环试验热失配

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