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通过对Si，CaAs，Ge等半导体材料单晶抛光片清洗．工艺技术的研究，分析得出了半导体材料单晶抛光片的清洗关键技术条件。首先用氧化性溶液将晶片表面氧化，然后用一定的方法将晶片表面的氧化物去除，从而实现对晶片进行清洗的目的。采用这种先氧化再剥离的方法，可有效去除附着在晶片表面的杂质及各种沾污物。对于不同的材料，氧化过程以及剥离过程可以在不同的溶液中相互独立地进行；也可以组合在一起，使用一种混合液同时实现氧化及剥离。采用氧化、剥离的清洗原理，可提高半导体材料抛光片的清洗．工艺技术水平，同时也对新材料抛光片的清